T8K7453503DH 时间：2025/8/7 5:29:31 阅读：31

T8K7453503DH 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高可靠性、高性能的功率MOSFET器件。该器件主要用于需要高效率、高开关频率和低导通损耗的应用场景，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。T8K7453503DH采用先进的沟槽栅极技术，提供出色的热稳定性和低导通电阻。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：120A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（典型值）
　　栅极电荷：220nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

T8K7453503DH具备低导通电阻特性，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高电流承载能力使其适用于高负载应用。T8K7453503DH的沟槽栅极技术不仅提高了器件的热稳定性，还增强了其在高频开关条件下的性能表现。该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，确保在异常工作条件下的可靠性。
　　在封装方面，T8K7453503DH采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于紧凑型设计。该封装还具备优异的焊接可靠性和热循环稳定性，适合汽车电子和工业控制等高要求应用场景。

应用

T8K7453503DH广泛应用于电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。此外，该器件也适用于电机控制、照明驱动和工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高可靠性和优异的热管理性能，T8K7453503DH也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。