时间：2025/8/9 19:10:31
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YG802C03R 是一款由国内厂商生产的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOS技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：3mΩ（典型值）
功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
YG802C03R MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使其在相同尺寸下具有更低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
该器件的导通电阻仅为3mΩ，能够在高电流条件下保持较低的压降，从而减少发热并提高能源利用率。
其最大漏极电流可达120A，适用于高功率密度设计，如服务器电源、通信设备和工业控制模块。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，TO-263封装支持有效的散热管理，适用于表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。
器件的栅极驱动电压范围宽泛，兼容标准逻辑电平驱动，便于与各种控制器配合使用，简化了电路设计。
在短路和过载条件下，该器件具备一定的耐受能力，增强了系统的鲁棒性。
YG802C03R MOSFET广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：
1. DC-DC降压/升压转换器，用于高效电源管理；
2. 电机驱动电路，如无刷直流电机控制；
3. 高电流负载开关，实现快速通断控制；
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制；
5. 工业自动化设备中的功率控制模块；
6. 通信设备中的高效率电源供应单元。
SiS628ACN-T2-GE3, Nexperia PSMN1R0-30YL, Infineon BSC010N03LA, STMicroelectronics STL110N3LLH5
