时间：2025/8/5 21:19:34
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IXGE75N80Z是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压和高电流应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和高可靠性，适用于工业电机控制、电源转换、逆变器以及可再生能源系统等领域。IXGE75N80Z的最大漏极电流为75A，最大漏源电压为800V，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效提高系统的整体效率。
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏源电压（VDS）：800V
导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：约160nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGE75N80Z作为一款高压MOSFET，具有多项优异的电气和热性能。首先，其高耐压能力使其适用于800V的漏源电压环境，适合用于高电压系统中的功率开关。其次，低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了能效。此外，该器件具备较高的电流承载能力，允许在大电流条件下稳定运行。其快速开关特性降低了开关损耗，有助于提升系统效率，尤其是在高频开关应用中。IXGE75N80Z还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长期工作，具备较强的过载和短路耐受能力，适合工业级应用。TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高负载下仍能维持稳定的工作温度。
IXGE75N80Z广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业自动化和电机控制领域，它常用于变频器、伺服驱动器和电动机控制模块。在电源管理方面，该器件适用于高功率开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，能够实现高效能的电能转换。此外，IXGE75N80Z还被广泛用于太阳能逆变器和储能系统等可再生能源应用中，作为功率开关元件，帮助实现高效的能量转换和管理。在电动汽车充电设备和电能质量调节系统中，该MOSFET也具备良好的适用性。
IXFH75N80Q, IXFN75N80, IRGP75N80S
