时间：2025/6/16 8:47:56
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BDFN2C051V是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于广泛的开关和功率管理应用。该器件采用小型封装，具有低导通电阻和高效率的特性，适合用于消费电子、工业设备以及通信设备中的电源转换和负载切换等场景。
BDFN2C051V的设计注重提高功率密度并降低功耗，同时支持高频开关操作，使其成为现代高效能设计的理想选择。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：8nC（典型值）
总电容（Ciss）：280pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频电路设计，满足现代电源管理需求。
3. 小型化封装（SOT-23），节省PCB空间，便于布局。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保设计，适合各类合规性要求严格的市场。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和降压/升压转换器。
2. 消费类电子产品中的负载开关和电池保护电路。
3. 工业控制中的电机驱动和信号切换。
4. LED照明驱动电路中的开关元件。
5. 通信设备中的高效功率管理模块。
AO3400A
IRLML6402
FDMQ8203
