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FDMC86160 发布时间 时间:2025/7/1 9:30:22 查看 阅读:7

FDMC86160是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,支持高电流和高电压操作,适用于工业和消费电子领域的多种应用。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:160A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容(Ciss):4750pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

FDMC86160的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高额定电流和电压能力,满足大功率需求。
  4. 增强的热性能设计,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的需求。
  6. 紧凑的封装形式,便于集成到空间受限的设计中。

应用

FDMC86160适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 充电器、逆变器和其他需要高效功率管理的场合。
  6. LED驱动器和固态照明应用。

替代型号

FDMC86150, FDMC86170, IRF840

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FDMC86160参数

  • 现有数量8,579现货
  • 价格1 : ¥19.95000剪切带(CT)3,000 : ¥9.13746卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Ta),43A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1290 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.3W(Ta),54W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装Power33
  • 封装/外壳8-PowerWDFN