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SSM3J328R,LF 发布时间 时间:2025/6/4 13:14:15 查看 阅读:6

SSM3J328R,LF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 LF 封装。该器件适用于高效率、高频开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统性能并降低功耗。
  该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):2.8mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关时间:ton=9ns,toff=14ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SSM3J328R,LF 具有出色的电气性能,其主要特点如下:
  1. 极低的导通电阻(2.8mΩ),可有效降低传导损耗。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,减少开关损耗。
  3. 高雪崩耐量能力,提升了在过载或短路条件下的可靠性。
  4. 采用 LF 封装,具备优良的散热性能,适合紧凑型设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺。
  6. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。

应用

该芯片适用于多种工业及消费类电子产品领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 通信设备中的信号调节与功率分配。
  6. 各种需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

SSM3K328R, SSM3J330R

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SSM3J328R,LF参数

  • 制造商Toshiba