时间：2025/6/4 13:14:15
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SSM3J328R,LF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LF 封装。该器件适用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统性能并降低功耗。
该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：ton=9ns，toff=14ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
SSM3J328R,LF 具有出色的电气性能，其主要特点如下：
1. 极低的导通电阻（2.8mΩ），可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高雪崩耐量能力，提升了在过载或短路条件下的可靠性。
4. 采用 LF 封装，具备优良的散热性能，适合紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
6. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
该芯片适用于多种工业及消费类电子产品领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 通信设备中的信号调节与功率分配。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
SSM3K328R, SSM3J330R
