电容值：8 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：50 V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（公制1608）
　　介质材料：陶瓷

YG226S8G 具有以下显著特性：
　　1. **高稳定性**：采用C0G（NP0）介质材料，具有极低的温度系数，电容值在温度变化范围内保持稳定，适用于对精度要求高的电路。
　　2. **高可靠性**：陶瓷材料和多层结构设计确保了长期使用的稳定性和耐用性，能够在严苛环境下正常工作。
　　3. **低损耗**：该电容器具有极低的介电损耗，适用于高频应用，如射频（RF）电路和滤波器设计。
　　4. **小尺寸**：0603封装尺寸使其适用于高密度PCB布局，同时不影响电气性能。
　　5. **广泛的工作温度范围**：可在-55°C至+125°C范围内正常工作，适用于各种极端环境下的应用。

YG226S8G 多层陶瓷电容器主要应用于以下领域：
　　1. **射频（RF）电路**：用于滤波器、匹配网络和振荡器等高频电路，提供稳定的电容值和低损耗性能。
　　2. **精密模拟电路**：适用于运算放大器、滤波器和振荡器等对精度要求高的模拟电路。
　　3. **电源管理电路**：用于去耦和滤波，确保电源稳定并减少噪声干扰。
　　4. **工业控制系统**：在工业自动化设备和控制系统中提供可靠的电容支持。
　　5. **通信设备**：用于无线通信模块、基站设备和网络设备中的信号处理和电源管理电路。

C0603C800F5VACTU, GRM188R71H103KA01D, CL21A821JQNNNE