HKG3AB181KG2BW(1KV181K)是一种高性能的高压硅堆,主要用于需要高电压整流的应用场合。它属于高压二极管系列,具有出色的反向耐压性能和低漏电流特性。该型号设计用于在高电压环境下保持稳定运行,同时提供高效的整流功能。
该器件通常应用于开关电源、逆变器、电机驱动等需要处理高电压信号的场景中。
额定电压:1000V
正向电流:1.5A
反向漏电流:≤50nA(在25℃时)
结电容:约20pF
功耗:11.5W
封装形式:TO-247
HKG3AB181KG2BW(1KV181K)具备以下关键特性:
1. 高耐压能力:能够承受高达1000V的反向电压,适合高压应用场景。
2. 低反向漏电流:即使在高温条件下,也能维持较低的漏电流水平,确保系统的稳定性。
3. 快速恢复时间:该器件的快速恢复特性使其能够在高频电路中表现出色。
4. 稳定性:无论是在极端温度还是长时间运行的情况下,该高压硅堆均能保持其电气性能。
5. 高效整流:通过优化的内部结构设计,降低了导通损耗,提高了整流效率。
HKG3AB181KG2BW(1KV181K)适用于多种高压整流相关领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源:在高压开关电源中作为整流元件使用。
2. 工业控制:例如电机驱动器和工业逆变器中的高压整流部分。
3. 不间断电源(UPS)系统:为高压电池充电提供整流功能。
4. 高压测试设备:用于生成稳定的高压直流输出。
5. 能量转换装置:如太阳能逆变器或风力发电系统中的高压整流环节。
HKG3AB181KG2AW, 1N5372B, BYW29-1000