时间：2025/7/25 14:53:29
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APT30D120SG是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的高压、高频功率MOSFET晶体管，适用于各种高功率开关应用。这款MOSFET具备高电压耐受能力，能够承受高达1200V的漏极-源极电压（VDS），并且具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了在高电流应用中的功率损耗。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，以优化开关性能和热管理。
类型：功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：1200V
漏极-栅极电压（VDG）：1200V
源极-栅极电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID@25°C）：30A
导通电阻（RDS(on)）：最大值约120mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
APT30D120SG具备优异的导通和开关性能，能够在高电压和高电流环境下保持稳定的运行。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该MOSFET的栅极驱动要求相对较低，适合与标准驱动电路兼容。同时，APT30D120SG具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。
在高频开关应用中，APT30D120SG表现出较低的开关损耗，有助于提升系统的整体能效。其快速恢复特性也使得该器件适用于硬开关和软开关拓扑结构，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。
APT30D120SG广泛应用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统以及各种高电压开关电路中。由于其高耐压能力和优异的导通性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
此外，APT30D120SG也可用于高频功率转换器，如谐振变换器和LLC变换器，以实现更高的功率密度和更小的系统尺寸。在电动汽车充电设备和储能系统中，该MOSFET也能提供可靠的功率开关解决方案。
IXFH30N120T2, STY30N120K5, FGL40N120AND
