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FN21X822K500PXG 发布时间 时间:2025/6/17 2:23:44 查看 阅读:3

FN21X822K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该型号属于 N 沟道增强型场效应晶体管,适用于多种高频和大电流应用环境。其封装形式通常为符合行业标准的表面贴装类型,便于大规模生产中的自动化装配。

参数

最大漏源电压:500V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:8.2A
  导通电阻:0.3Ω
  总功耗:10W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:PXG

特性

FN21X822K500PXG 具备以下关键特性:
  1. 高耐压能力:可承受高达 500V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在高电流条件下提供较低的功耗损失,提高整体效率。
  3. 快速开关性能:优化的栅极电荷设计使其具有更快的开启和关断时间,减少开关损耗。
  4. 稳定性强:能够在极端温度范围内保持稳定的电气性能,适应恶劣的工作环境。
  5. 小型化封装:PXG 封装形式使得器件更加紧凑,节省电路板空间。
  6. 高可靠性:通过多项严苛测试,确保长期使用的稳定性和耐用性。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
  2. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
  3. 工业设备:如逆变器、焊机和 UPS 系统。
  4. 汽车电子:支持汽车启动系统、电动助力转向和其他车载设备。
  5. LED 照明驱动:实现高效能的恒流或恒压输出控制。
  6. 充电器与适配器:提高充电效率并降低发热问题。

替代型号

IRF740,
  STP8NK50Z,
  FDP8222,
  IXYS2N840

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