时间：2025/5/20 11:14:10
阅读：5
YFF15PC0G105MT000N是一款由知名制造商生产的高性能功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用领域。该芯片具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
这款器件采用先进的制造工艺，在保证高效能的同时，也兼顾了可靠性和耐用性。其封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用，同时支持表面贴装技术(SMT)，提升了生产自动化水平和装配效率。
型号：YFF15PC0G105MT000N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：105V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.6A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：13nC (典型值)
总功耗(Ptot)：1.8W
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263-3L (D2PAK)
YFF15PC0G105MT000N具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
4. 内置ESD保护功能，提高了芯片的抗静电能力。
5. 紧凑型封装设计，适合高密度电路板布局。
6. 符合RoHS标准，绿色环保无铅工艺。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. 电机驱动控制器中的功率级电路。
3. DC-DC转换器中的开关元件。
4. 电池保护电路及负载开关。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 工业控制设备中的功率转换电路。
YFF15PC0G100MT000N, YFF15PC0G120MT000N
