HY62UF16101CLLF-10IDR 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于异步SRAM类别,具备高速读写性能,适用于需要高性能存储器的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备等应用场景。这款SRAM芯片采用CMOS工艺制造,提供低功耗、高稳定性和兼容性强的特点。
容量:1Mbit(128K x 8)
组织结构:128K地址 x 8位数据
供电电压:3.3V(工作范围通常为2.3V至3.6V)
访问时间:10ns(最大)
封装类型:54引脚TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行异步接口
封装尺寸:54-TSOP
封装材料:塑料封装
封装引脚数:54
刷新方式:异步读写控制
读取电流(典型值):120mA @ 10ns
待机电流(典型值):10mA
HY62UF16101CLLF-10IDR 的主要特性包括其高速访问时间(10ns),适用于需要快速数据访问的系统。其异步SRAM架构允许灵活的读写控制,适合与多种类型的处理器和控制器接口使用。此外,该芯片的CMOS工艺技术使其在保持高性能的同时实现较低的功耗,尤其在待机模式下,功耗显著降低。该SRAM芯片支持标准的并行接口,兼容多种嵌入式平台,易于集成到系统中。封装采用TSOP形式,具有较小的封装体积,适合高密度PCB布局设计。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了在恶劣环境下的稳定运行。
此外,HY62UF16101CLLF-10IDR 具备自动省电模式,在无操作时进入低功耗状态,有效延长设备的使用寿命并减少散热问题。其高可靠性和抗干扰能力,使其适用于通信设备、网络路由器、工业自动化设备、测试仪器等对稳定性和性能有较高要求的应用场景。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制器、网络交换机、路由器、测试与测量设备、打印机、扫描仪、医疗设备、智能卡读写器、安防设备、数据采集系统等领域。由于其高速度、低功耗和工业级工作温度范围,特别适合于对稳定性和性能有较高要求的工业及通信设备。
CY62167EVAL48ZSXI, IS62WV10248ALLBIRZ, IDT71V416SA10PFG, ISSI IS61LV10248ALLBIR