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YA862C08 发布时间 时间:2025/8/9 3:32:21 查看 阅读:21

YA862C08是一款由集成存储器技术公司(Integrated Memory Technology, Inc.)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片设计用于需要高性能和低延迟数据存储的应用,提供可靠的数据保持能力,无需刷新操作。YA862C08具有标准的封装形式和通用的引脚排列,便于在各种电子系统中集成使用。

参数

容量:8 Mbit
  组织方式:512 K x 16位
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4 ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  输入/输出电压兼容性:3.3V与5V兼容
  功耗:典型工作模式下为1.0W
  封装引脚数:54引脚

特性

YA862C08作为高速SRAM芯片,具有多个显著的技术特性。其5.4 ns的访问时间使其适用于需要快速数据存取的应用,例如高速缓存、网络设备缓冲器以及工业控制系统。该芯片支持低待机功耗模式,可在不活跃状态下节省能耗,同时保持数据完整性。此外,其支持3.3V电源供电,并兼容5V的输入/输出电压,这使得该芯片可以灵活应用于不同电压标准的系统中。芯片采用CMOS制造工艺,提高了稳定性和抗干扰能力,且在高温度环境下依然保持良好的工作性能。工业级的工作温度范围也使其适用于复杂环境条件下的设备。

应用

该芯片广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制设备、测试仪器以及嵌入式系统等需要高速存储解决方案的场合。例如,在路由器或交换机中,YA862C08可用于缓存数据包,以提高传输效率;在工业控制设备中,可作为快速存储运行参数和状态数据的临时存储单元;在测试设备中,有助于实现高速数据采集与处理。此外,其高速性能也适用于图形处理和图像存储等需要大容量快速访问的场景。

替代型号

CY7C1041CV33-55BZC, IS61LV25616-10B4BLI, IDT71V416S10PFG

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