IR3Y50U6 时间：2025/5/13 8:41:00 阅读：5

IR3Y50U6 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高效能 N 沃特（N-Channel）功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。其封装形式为 DPAK（TO-252），有助于简化 PCB 布局并提供良好的散热能力。
　　这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护以及各种工业和消费类电子设备中的功率转换电路。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：27nC
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装形式：DPAK (TO-252)
　　存储温度范围：-65℃ to 150℃

特性

IR3Y50U6 具有非常低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，并提升整体效率。其高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合高频应用。
　　器件内部采用了优化的芯片设计，确保在极端工作条件下的稳定性与可靠性。同时，其卓越的热性能允许更高的功率密度和更小的散热需求。
　　DPAK 封装提供了良好的电气和机械性能，便于表面贴装和自动化生产。此外，该器件符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用

IR3Y50U6 主要用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. 电机控制与驱动
　　3. 电池管理系统（BMS）
　　4. 工业自动化设备中的功率级
　　5. 消费类电子产品中的负载开关
　　6. 各种 DC-DC 转换器和逆变器
　　由于其高性能表现，它也适用于汽车电子系统中的某些非关键功能模块。