MCH3335是一款高性能的半桥驱动芯片,广泛应用于电机控制、电源管理和工业自动化等领域。该芯片设计用于驱动外部N沟道MOSFET,通过提供足够的栅极驱动电流,确保开关器件快速且可靠地导通和关断。它具有高集成度、低功耗和优异的电磁兼容性能。
MCH3335内置了多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)和过温保护(TSD),能够有效提升系统的稳定性和可靠性。此外,该芯片支持PWM信号输入,方便用户实现精确的速度控制和功率调节。
工作电压:8V~60V
输出电流:峰值1.5A
最大栅极驱动电压:20V
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOIC-8
传播延迟:小于50ns
最大功耗:1W
MCH3335采用先进的CMOS工艺制造,具备以下显著特性:
1. 内置死区时间控制,避免上下桥臂直通现象,提高系统安全性。
2. 提供独立的高端和低端驱动输出通道,支持灵活的电路设计。
3. 集成完善的保护机制,如欠压锁定和过温关断,确保芯片在异常条件下仍能安全运行。
4. 支持高达20V的栅极驱动电压,适应不同类型的MOSFET需求。
5. 超低静态电流设计,特别适合对功耗敏感的应用场景。
6. 具备较强的抗噪能力,适用于复杂的电磁环境。
MCH3335主要应用于需要高效驱动外部MOSFET的场合,具体包括:
1. 无刷直流电机(BLDC)驱动器中的逆变桥驱动。
2. 开关电源(SMPS)中的功率级驱动。
3. LED驱动器中的恒流控制模块。
4. 工业设备中的继电器或电磁阀驱动。
5. 电动车窗、电动座椅等汽车电子系统中的电机驱动。
6. 各种需要精密PWM调制的应用场景。
MCH3336, IR2101, FAN7382