类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　齐纳电压：10V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：300mW
　　最大齐纳电流：200mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：2
　　极性：单向齐纳
　　动态阻抗：约 75Ω（典型值）
　　漏电流：最大 100nA（在 VZ < 10V 时）

BZT52C10S WF 齐纳二极管具有多个关键特性，使其在多种电子电路中具有广泛应用。首先，其精确的齐纳电压（10V）和 ±5% 的容差使其适用于高精度的电压参考和稳压应用。其次，该器件采用了 SOD-123 表面贴装封装，体积小、便于自动化生产和空间受限的设计。此外，BZT52C10S WF 的最大耗散功率为 300mW，支持高达 200mA 的齐纳电流，使其能够在中等功率应用中稳定工作。该器件的动态阻抗较低（约 75Ω），有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境下的可靠性。漏电流极低（最大 100nA），有助于减少待机功耗和提升电路效率。最后，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计。

BZT52C10S WF 齐纳二极管广泛应用于各种电子设备中，主要用于电压参考、稳压电路和过压保护。例如，在电源管理电路中，它可以作为基准电压源，为电压调节器或比较器提供稳定的参考电压。在模拟电路中，该器件可用于设定放大器的偏置电压，确保电路的稳定运行。此外，在嵌入式系统和工业控制设备中，它可作为保护元件，防止因瞬态电压波动导致的损坏。由于其表面贴装封装，BZT52C10S WF 也适用于高密度 PCB 设计，如消费类电子产品、通信设备、汽车电子系统等。在电池供电设备中，该器件的低漏电流特性有助于延长电池寿命。

BZT52C10-7-F, BZT52C10, MM3Z10V, MMSZ5240B-13-FG