类型：高压栅极驱动器
　　工作电压范围：12V ~ 20V
　　输出电流能力：高端和低端各1.2A（峰值）
　　最大工作频率：1.5MHz
　　封装类型：LQFP-48
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　集成保护功能：过流保护、过热保护、欠压锁定（UVLO）
　　驱动能力：适用于MOSFET和IGBT
　　传播延迟：典型值为90ns
　　上升/下降时间：典型值分别为13ns和9ns

XPEBWT-L1-0000-00CE2 具备多项先进特性，确保其在复杂电力电子系统中的高效运行。首先，其高压能力使其能够直接驱动高侧MOSFET和IGBT，适用于高达600V的电源系统，避免了额外的隔离电路需求，简化了设计。其次，该芯片集成了高低端驱动器，并提供对称的驱动能力，确保上下桥臂开关的同步性和稳定性，从而提高系统的整体效率。
　　该芯片内置多种保护机制，包括过流保护（OCP）、过热保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），有效防止功率器件因异常情况而损坏，提高系统可靠性。同时，其高抗噪能力（噪声免疫性）确保在高频开关环境下仍能稳定运行，避免误触发和信号干扰。
　　XPEBWT-L1-0000-00CE2 采用LQFP-48封装，具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计。其工作温度范围为-40°C至+125°C，满足工业级和汽车级应用的严苛要求。此外，该芯片的低静态电流和高效能设计有助于降低功耗，提高能效，适合对功耗敏感的应用场景。

XPEBWT-L1-0000-00CE2 主要应用于需要高效驱动功率器件的场合，如电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电动汽车充电系统等。在电机控制应用中，它能够提供精确的栅极驱动信号，实现高效的开关控制和节能运行。在光伏逆变器和储能系统中，该芯片可用于驱动高功率MOSFET或IGBT，提升系统效率并增强稳定性。此外，在汽车电子领域，该驱动器可应用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电驱系统中，满足高可靠性和耐温性的要求。

L6384E、IRS2104S、LM5114、TC4420、FAN7382