容量：8K x 8位
　　访问时间：70ns
　　电源电压：5V
　　封装类型：SOIC/TSOP
　　引脚数：28
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　功耗：典型值100mA
　　数据保持电压：最小2V
　　

HY6264ALT-70 SRAM芯片具有多项显著特性，首先其高速访问时间为70ns，使得它非常适合需要快速数据读写的应用场景。这种芯片采用CMOS技术，具备较低的功耗，同时在待机模式下功耗进一步降低，适合对能耗敏感的系统设计。
　　此外，HY6264ALT-70支持全地址解码，确保所有存储单元都能被准确访问，并且具备双向数据总线功能，简化了与外部控制器的接口设计。该芯片还支持数据保持功能，在电源电压降低至2V时仍能保持数据不丢失，适用于需要在低功耗状态下维持数据完整性的应用。
　　在封装方面，HY6264ALT-70采用28引脚的小外形封装（SOIC或TSOP），具有良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型电路板设计。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在严苛环境下稳定运行。

HY6264ALT-70广泛应用于嵌入式系统、通信设备、工业控制、网络路由器和交换机等领域。由于其高速访问特性和低功耗设计，它常被用作微控制器的外部高速缓存，用于临时存储频繁访问的数据或指令，以提高系统响应速度。
　　在工业控制设备中，HY6264ALT-70可用于存储关键的运行参数和实时数据。在通信设备中，该芯片可用于数据缓冲和临时存储，提高数据传输效率。此外，该芯片也适用于测试设备、测量仪器和消费类电子产品，如打印机、扫描仪等，提供可靠的数据存储解决方案。

CY6264BLL-70, IDT7164SA-10J, AS6C6264A-55PCN-B