类型：双二极管阵列
　　封装：SOT-23
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　峰值反向电压（VRM）：75 V
　　最大反向电压（VR）：75 V
　　正向电压（VF）：1.2 V（最大值，IF=10 mA）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，VR=75 V）
　　电容（CT）：5 pF（典型值，f=1 MHz）
　　恢复时间（trr）：4 ns（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

S-LBAV21T1G 具有多个关键特性，使其在高频和高速开关应用中表现出色。首先，其低电容特性（典型值为5 pF）使其适用于射频和高速数字电路中的信号处理，有助于减少信号失真和干扰。其次，该器件的快速恢复时间（trr）仅为4 ns，使其在高频切换操作中具有优异的性能，减少能量损耗和延迟。此外，S-LBAV21T1G 的双二极管结构允许两个独立的开关功能集成在一个封装中，节省PCB空间并提高电路设计的灵活性。该器件的正向电压较低，确保在低电压系统中仍能保持高效率。由于其SOT-23封装体积小、重量轻，适合用于便携式设备和高密度电路板设计。
　　S-LBAV21T1G 还具有优异的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其最大工作温度可达+150°C，适合用于工业级和汽车电子系统。该器件的反向漏电流极低（最大100nA），在高阻抗电路中能够有效减少漏电损耗。此外，该二极管还具备较高的峰值反向电压能力（75V），确保在瞬态电压或高压脉冲环境下仍能正常工作。所有这些特性使S-LBAV21T1G 成为一个高性能、多功能的二极管解决方案。

S-LBAV21T1G 主要应用于高频开关电路、射频信号路径控制、数字逻辑电路中的钳位和保护、通信设备中的信号调节以及汽车电子系统。由于其快速恢复时间和低电容特性，它特别适合用于射频开关、天线调谐电路、高速数据传输系统以及便携式电子产品中的电源管理和信号切换。此外，S-LBAV21T1G 也可用于保护敏感的IC免受静电放电（ESD）和瞬态电压的影响，提高系统的整体可靠性。

LBAV21T-G, BAV21LT1G, BAV21WS, BAV21-01W