时间：2025/6/22 4:31:21
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MMQA20VT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率晶体管，专为高频、高效和高功率密度应用而设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻特性。其工作电压高达 650V，并具备快速开关速度，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及可再生能源系统等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：13mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1450pF
反向恢复时间：无（由于 GaN 的特性，没有反向恢复问题）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MMQA20VT1G 提供了非常低的导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频应用中具有更高的效率和更低的损耗。
GaN 器件相比传统硅基 MOSFET 具有更快的开关速度和更高的功率密度，非常适合用于高频率运行条件下的电力电子设备。
该器件还具有坚固的设计和良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
此外，由于没有体二极管效应，因此不存在反向恢复损耗，进一步提高了整体效率。
该器件广泛应用于各种高性能电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 图形处理器供电模块 (VR)
4. 工业电机驱动
5. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器
6. 太阳能光伏微型逆变器
7. 高频谐振转换器
这些应用充分利用了 MMQA20VT1G 的高频性能和高效率特点。
MMQ1A065H-20T,
GAN063-650WSA
