时间：2025/4/25 15:20:13
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XPC860TCZP50D4是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计需求。此外，XPC860TCZP50D4支持高电流处理能力，非常适合对能效和可靠性要求较高的应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：t_on=10ns, t_off=15ns
工作温度范围：-55℃至175℃
XPC860TCZP50D4具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度，可降低开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高额定电流能力，满足大功率电路需求。
4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下保持可靠运行。
5. 小型化封装，节省空间且易于安装。
6. 内置ESD保护，增强抗干扰能力，确保长期使用中的稳定性。
XPC860TCZP50D4适用于以下典型应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 汽车电子系统
5. 工业控制设备
6. LED驱动及负载切换
这款器件凭借其卓越的性能表现，在需要高效能与高稳定性的领域中得到了广泛应用。
XPC860TCZP50D3, XPC850TCZP50D4, IRF540N
