时间：2025/7/9 23:10:27
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SH31B334K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高电压和大电流场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等优点。它适用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用领域。
该器件采用 TO-247 封装形式，具备出色的散热性能，能够满足工业级应用的严格要求。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：25A
导通电阻：0.02Ω
栅极电荷：150nC
开关时间：t_on=50ns, t_off=80ns
工作结温范围：-55℃ to +150℃
SH31B334K250CT 的设计结合了超结技术，从而显著降低了导通电阻，提高了效率并减少了功率损耗。
此外，其高击穿电压使得该芯片能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。快速的开关速度有助于减少开关损耗，同时优化电磁兼容性（EMC）性能。
这款功率 MOSFET 还具有良好的热稳定性，确保长时间使用后仍能维持优异的性能表现。
在实际应用中，SH31B334K250CT 可以承受较高的浪涌电流，非常适合用于需要可靠保护机制的系统之中。
SH31B334K250CT 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 太阳能逆变器
3. 电动车辆驱动器
4. 工业电机控制
5. UPS 不间断电源
6. LED 驱动电路
由于其卓越的电气特性和机械结构，该芯片成为众多高可靠性需求场景的理想选择。
IRFP460, FGA25N120AMD, STW89N120H
