时间：2025/6/18 8:55:43
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XPC860PZP80D3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的封装技术以实现卓越的电气性能和散热能力。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场景中。其主要特点是低导通电阻和高开关速度，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
该芯片使用 P-channel 技术，提供出色的负载控制功能，并且具有增强的静电防护（ESD）特性，从而提升了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
类型：MOSFET
极性：P-channel
Vds（漏源电压）：-80V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ
Id（连续漏电流）：-100A
Qg（栅极电荷）：29nC
Vgs（栅源电压）：±20V
fT（特征频率）：1.4MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
XPC860PZP80D3 的核心优势在于其超低的导通电阻 Rds(on)，这使得它非常适合大电流应用场合，同时最大限度地减少了功率损耗。
此外，该芯片具备较高的击穿电压（80V），可以在严苛的工作条件下保持稳定运行。其优化的栅极电荷设计提高了开关速度，降低了开关损耗。
此芯片还采用了高效的封装形式，增强了散热性能，并支持表面贴装工艺（SMD），从而简化了生产流程并提高了组装效率。
由于内置了过温保护和短路保护机制，这款 MOSFET 在实际应用中表现出更高的可靠性和安全性。
XPC860PZP80D3 主要用于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备
- 太阳能逆变器
- 汽车电子系统
- 通信电源模块
- 高效负载开关
XPC860PZP80D3N, XPC860PZP80D3R, IRF860PZ
