时间：2025/5/26 21:45:27
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XPC8240LZU200E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用了先进的制程技术，能够在高频工作条件下保持较低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升系统的效率和可靠性。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，非常适合要求苛刻的工业和汽车应用环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：3500pF
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LZU200E
XPC8240LZU200E 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压设计，确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关性能，适合高频应用场景。
4. 强大的热管理能力，支持长时间高负载运行。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 采用 LZU200E 封装，提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
7. 在极端温度范围内表现出色，适应多种恶劣的工作环境。
XPC8240LZU200E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 汽车电子系统中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 电池管理系统中的充放电保护电路。
XPC8240LZU150E, XPC8240LZU250E
