时间：2025/5/12 22:13:37
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DMN3061LCA3 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件适用于需要高效功率开关的应用场合，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它采用 LFPAK56E 封装形式，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
DMN3061LCA3 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下工作，这使得其非常适合由电池供电的便携式设备和其他低功耗系统。此外，其坚固耐用的设计确保了在严苛环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：25mΩ
栅极电荷：7nC
总功耗：2.5W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56E
DMN3061LCA3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动，能够兼容 3.3V 和 5V 系统。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，提高高频应用中的表现。
4. 高度可靠的封装设计，具备出色的散热能力和机械稳定性。
5. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
DMN3061LCA3 广泛用于以下应用领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和功率转换。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器中的电流调节和调光功能。
6. 各种便携式设备中的功率管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。
7. 工业自动化设备中的信号切换和功率传输。
DMN3059LCA3, DMN3060LCA3, FDN306P
