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XN0431400L 发布时间 时间:2023/10/27 17:17:35 查看 阅读:76

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10K
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300μA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:150MHz, 80MHz
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:迷你型 6P
包装:带卷 (TR)

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XN0431400L参数

  • 数据列表XN0431400L View all Specifications
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换150MHz,80MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装MINI6-G1
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称XN0431400LTRXN4314-(TX)XN4314-TXXN4314TRXN4314TR-ND