MCC56-14I01 B 是由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高功率应用设计。这款IGBT具有良好的导通压降和开关损耗特性,适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。MCC56-14I01 B 采用先进的芯片技术和封装设计,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。
类型:IGBT
集电极-发射极电压(Vce):1400V
集电极电流(Ic):56A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:模块
短路电流能力:典型值为 3 倍额定电流
导通压降(Vce_sat):典型值为 2.9V
输入电容(Cies):约 1100pF
输出电容(Coes):约 450pF
反向恢复时间(trr):约 1.2μs
MCC56-14I01 B IGBT 的主要特性之一是其优异的导通压降特性,这使得在导通状态下功率损耗较低,从而提高了系统的整体效率。该器件的导通压降典型值为 2.9V,这在同类产品中表现优异。
此外,MCC56-14I01 B 具有良好的开关损耗特性,能够在高频工作条件下保持较低的损耗。其反向恢复时间约为 1.2μs,这对于减少开关过程中的能量损耗非常重要。
该 IGBT 还具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受高达 3 倍额定电流的短路电流而不损坏。这种特性使得器件在发生短路故障时具有更高的可靠性。
MCC56-14I01 B 采用模块封装,具有良好的热管理和机械稳定性。模块封装设计有助于提高散热效率,确保器件在高功率应用中保持稳定的性能。
此外,该器件的工作温度范围较宽,可在 -40°C 至 +150°C 的环境下正常工作,适用于各种恶劣的工作条件。
MCC56-14I01 B 主要应用于高功率电子系统,如工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电力传输和分配系统以及电动汽车充电设备。在工业电机驱动中,MCC56-14I01 B 可用于构建高效的变频器,以实现对电机速度和扭矩的精确控制。其优异的导通压降和开关损耗特性有助于提高电机驱动系统的整体效率。
在可再生能源系统中,MCC56-14I01 B 可用于太阳能逆变器和风力发电变流器,将直流电源转换为交流电源并馈入电网。其高可靠性和高效率特性使其成为这些应用的理想选择。
在电力传输和分配系统中,MCC56-14I01 B 可用于构建高压直流输电(HVDC)系统和无功功率补偿装置,以提高电力系统的稳定性和效率。
在电动汽车充电设备中,MCC56-14I01 B 可用于构建高效的充电逆变器,实现快速充电和高效率的能量转换。
MCC56-14I01 B 可以被 MCC56-14I01、MCC56-14I01 G 等型号替代。