时间：2025/5/13 14:29:30
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DPX165950DT-8126A1是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高功率密度的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于直流-直流转换器、电机驱动器、电源管理模块等应用领域。
其封装形式紧凑，能够有效降低系统体积并提升散热性能，同时具备出色的电气特性和可靠性，可满足多种工业和消费类电子设备的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
DPX165950DT-8126A1的核心优势在于其低导通电阻和高效率表现。通过优化的硅片设计，该芯片能够在高频开关条件下保持较低的功耗，从而提高整体系统的能效水平。
此外，它还具备强大的过流保护功能和热稳定性，确保在极端环境下的可靠运行。芯片的封装采用了强化散热技术，能够有效将热量散发到外部，延长器件使用寿命。
在动态性能方面，该MOSFET拥有较小的栅极电荷和输入电容，有助于实现更快的开关速度，并减少开关损耗。同时，它的短路耐受能力较强，进一步提升了产品的安全性和鲁棒性。
该型号广泛应用于各类高效能电力转换和控制场合，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 工业自动化设备中的负载切换
- 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)
- LED照明驱动电路
由于其卓越的性能，DPX165950DT-8126A1成为众多工程师在设计高要求电子产品时的首选元件。
DPX165950DT-8126B1
IRF840
FQP50N06L
