时间:2025/12/27 16:09:15
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XMR-08VF是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据线路和精密电子元件提供静电放电(ESD)及瞬态电压保护而设计。该器件采用紧凑的微型DFN封装(1.0mm x 0.6mm),适用于对空间要求极为严格的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及物联网终端等。XMR-08VF集成了多个高性能TVS二极管,能够有效钳制瞬态过电压,防止其对下游敏感电路造成损害。其低电容设计确保了在保护信号完整性的同时,不会引入明显的信号衰减或失真,特别适合用于USB、HDMI、MIPI、SD卡接口等高速通信端口。该器件符合RoHS和绿色产品标准,具备无卤素、无铅焊接兼容性,满足现代电子产品环保要求。此外,XMR-08VF通过了IEC 61000-4-2 Level 4(±15kV空气放电,±8kV接触放电)等国际电磁兼容性标准,确保在严苛的电磁环境中仍能稳定工作。
型号:XMR-08VF
制造商:Littelfuse
封装类型:DFN-8 (1.0mm x 0.6mm)
通道数:8
工作电压(VRWM):3.3V
击穿电压(VBR):min 4.0V, typ 4.3V, max 5.0V
最大钳位电压(VC @ IPP):9.0V (IPP = 1A)
峰值脉冲电流(IPP):1A per channel
反向漏电流(IR):≤1μA
电容值(Cj):典型值 0.3pF per line
ESD耐受能力:±15kV(空气放电),±8kV(接触放电)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
安装方式:表面贴装(SMD)
XMR-08VF的核心特性之一是其超低电容设计,每条线路的典型结电容仅为0.3pF,这一特性使其非常适合应用于高频、高速数据传输接口。在现代移动设备中,如USB 3.0、HDMI、MIPI DSI/CSI等差分对信号线,任何额外的寄生电容都可能导致信号反射、上升时间延迟和眼图闭合,从而影响通信可靠性。XMR-08VF凭借其接近理想的电容表现,在不影响信号质量的前提下实现了有效的ESD防护。
另一个关键特性是其卓越的瞬态响应能力。该器件能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电事件,并迅速将电压钳制在安全水平(典型值9.0V),从而保护后端CMOS集成电路免受高压冲击导致的栅氧击穿或金属互连熔断。这种快速响应依赖于内部优化的硅PN结结构和低寄生电感布局,确保能量被高效泄放到地。
XMR-08VF采用8通道单芯片集成方案,所有通道共用一个接地引脚,支持多线并行保护,极大简化了PCB布线复杂度。其微型DFN封装尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm,适合高密度组装工艺,配合回流焊流程可实现自动化量产。同时,该器件具有极低的反向漏电流(≤1μA),避免在待机或低功耗模式下产生不必要的静态功耗,延长电池寿命。
热稳定性方面,XMR-08VF可在-40°C至+125°C宽温范围内稳定运行,适用于工业级与消费级双重应用场景。其结构材料经过严格筛选,具备良好的耐湿性和抗机械应力性能,符合J-STD-020潮湿敏感等级MSL-1标准,无需特殊存储条件。此外,器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高,适用于车载信息娱乐系统中的传感器接口保护。
XMR-08VF广泛应用于需要高密度、高性能ESD保护的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C接口保护,用于抵御用户插拔过程中产生的静电积累。在高清视频传输链路如HDMI或DisplayPort中,该器件可防止外部静电干扰导致图像闪屏或控制器复位。此外,在相机模组与主处理器之间的MIPI CSI-2串行接口上部署XMR-08VF,可以有效提升摄像头系统的电磁抗扰度,避免因ESD引发的图像冻结或传感器损坏。
在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中,由于外壳小型化且常暴露于人体直接接触环境,ESD风险显著增加。XMR-08VF的小尺寸和低电容特性使其成为理想选择,可用于保护蓝牙天线前端、触控面板信号线以及充电管理IC的通信接口(如I2C)。在工业物联网节点中,连接传感器模块的数据总线(如SPI、SDIO)也常使用此类TVS阵列进行前端防护,以提高系统长期运行的可靠性。
此外,该器件还适用于SD/microSD卡槽、音频耳机接口、触摸屏控制器连线等易受人为静电影响的输入输出端口。在汽车电子领域,尽管主要车规级保护器件另有专用型号,但XMR-08VF仍可用于非动力域的座舱内辅助电子模块,例如后排娱乐系统的音视频输入端子。总之,凡是存在高速信号传输且面临频繁人体接触或环境静电威胁的应用场合,XMR-08VF都能提供可靠、紧凑的解决方案。
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