时间：2025/7/1 19:57:11
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SI9926ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，旨在提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率，非常适合用于便携式设备、负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电应用中的功率管理。
其小型化的封装形式 (DFN8 2x2mm) 和出色的电气性能使其成为需要紧凑设计和高效能转换的应用的理想选择。
型号：SI9926ADY-T1-GE3
Vgs(th)：1.2V 至 3V
Rds(on) @ Vgs=4.5V：7mΩ 典型值
Rds(on) @ Vgs=10V：5.5mΩ 典型值
最大漏极电流 Id：24A（脉冲）
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅极源极电压 Vgs：±20V
总功耗 Ptot：1.6W（Ta=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DFN8 2x2mm
SI9926ADY-T1-GE3 的主要特点是其超低的 Rds(on)，在不同的栅极驱动电压下表现优异。例如，在 4.5V 的栅极驱动下，其导通电阻仅为 7mΩ 典型值，而在 10V 驱动下则进一步降低至 5.5mΩ 典型值。此外，器件支持高达 30V 的漏源电压，并可处理高达 24A 的峰值漏极电流，适合各种高压和大电流场景。
该产品还具有较高的热稳定性，能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内可靠运行，这使得它能够适应工业及汽车环境中的极端条件。同时，采用 DFN8 封装减少了寄生电感和电容效应，从而提升了开关速度和效率。
SI9926ADY-T1-GE3 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
- 笔记本电脑和智能手机中的电源管理
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- DC/DC 转换器中的高端或低端开关
- 负载开关和 FET 开关阵列
- 电池保护电路
- 工业控制和电机驱动
由于其低导通电阻和高效率，该器件特别适合要求长电池续航时间的便携式设备。
SI9924ADY-T1-GE3
SIH724ADJ-E3
STL150N3LLH5
