XHP-4-BK 时间：2025/12/27 15:58:44 阅读：18

XHP-4-BK 是一款由美国国际整流器公司（International Rectifier，简称 IR）推出的高性能功率MOSFET晶体管，属于IR公司著名的HEXFET?系列。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各种高效率功率转换系统中。XHP-4-BK 中的“XHP”代表其封装类型为无引脚高压（eXtreme High Power）封装，具有出色的散热性能；“4”表示其在系列中的型号等级；而“BK”通常指代黑色封装或特定的产品变体标识。这款MOSFET专为处理高电流和高电压应用设计，在高温环境下仍能保持稳定工作，适合用于工业控制、汽车电子、可再生能源系统等领域。其金属底部封装结构允许直接安装在散热器上，极大提升了热传导效率，从而增强了整体系统的可靠性与寿命。此外，XHP-4-BK 具备雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的自我保护，减少了对外部保护电路的依赖。

参数

型号：XHP-4-BK
　　制造商：Infineon Technologies (收购自 International Rectifier)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大连续漏极电流（Id）：280 A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：1120 A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 140 A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　功耗（Pd）：1000 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：XHP-4 (无引脚功率封装)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

特性

XHP-4-BK MOSFET具备多项优异的技术特性，使其在高功率密度和高效能要求的应用中表现出色。首先，其超低的导通电阻（Rds(on)）仅为1.3毫欧姆，在大电流工况下显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这使得它特别适用于大电流开关电源、电动车辆主驱逆变器以及太阳能逆变器等对能效极为敏感的场合。
　　其次，该器件采用了IR独有的XHP?（eXtreme High Power）封装技术，这是一种高度优化的无引脚表面贴装封装，具有极低的热阻（典型θjc为0.15°C/W），能够将芯片产生的热量迅速传导至PCB或外部散热器，有效防止因局部过热导致的性能下降或器件失效。这种封装还减少了寄生电感，提升了高频开关性能，降低了电磁干扰（EMI）风险。
　　第三，XHP-4-BK 具备卓越的雪崩耐量和坚固性，经过严格测试可在重复性雪崩事件中保持稳定，适用于存在感性负载突变的环境，如电机启动/停止过程中的反电动势冲击。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端温度条件下的可靠运行，满足汽车级和工业级应用标准。
　　最后，该MOSFET支持多芯片并联使用，由于其正温度系数的电流特性（在高温下电流趋于均衡），有助于实现均流效果，提升系统的可扩展性和冗余能力。集成的体二极管也具备快速恢复特性，进一步增强了在桥式电路中的适用性。

应用

XHP-4-BK 广泛应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统中。在电动汽车领域，它常被用于车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压转换器以及主驱逆变器模块中，作为关键的开关元件承担大功率能量转换任务。其出色的热管理和低导通损耗特性，有助于延长电池续航并减少冷却系统负担。
　　在工业自动化与电机驱动方面，XHP-4-BK 被广泛用于伺服驱动器、变频器和机器人控制系统中，用以精确控制交流或直流电机的速度与转矩。其高开关速度和抗干扰能力强的特点，保障了复杂工况下的动态响应精度和系统稳定性。
　　通信电源和服务器电源系统也是其重要应用场景之一。在这些高密度数字电源中，XHP-4-BK 可作为同步整流器或初级侧开关管，显著提高电源转换效率，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。
　　此外，该器件还适用于可再生能源系统，例如光伏逆变器和储能系统中的双向功率变换单元。在这些应用中，XHP-4-BK 不仅要承受长时间满负荷运行的压力，还需应对频繁启停和电网波动带来的电气应力，其高鲁棒性和长寿命特性显得尤为重要。同时，也可用于高端UPS不间断电源、焊机设备及大型LED照明驱动电源等高功率电子产品中。