时间：2025/8/28 22:39:23
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PQ1K333M2ZP 是 Rohm（罗姆）半导体公司生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高效率的电源转换和功率管理应用。这款器件采用紧凑型封装设计，具备良好的导通性能和较低的导通电阻，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：130W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.3mΩ（在 Vgs=10V）
封装类型：TO-220AB
PQ1K333M2ZP MOSFET 具备低导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体效率。其高电流承载能力（60A Id）使其适用于大功率应用，如电源适配器、电动工具和工业设备的电源模块。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠运行。栅极驱动电压范围较宽（最高 20V），允许灵活的驱动设计，同时具备较强的抗干扰能力，防止意外导通或损坏。该器件的 TO-220AB 封装形式便于安装和散热管理，适用于各种 PCB 设计场景。
在开关性能方面，PQ1K333M2ZP 具有较快的上升和下降时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流应用。其低栅极电荷（Qg）也有助于提高驱动效率。此外，该 MOSFET 还具备良好的雪崩击穿耐受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性。
PQ1K333M2ZP MOSFET 主要用于需要高效功率控制的电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化设备和电动工具等。其高电流和低 Rds(on) 特性使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，它还可用于汽车电子系统中的功率调节模块，如车载充电器和电池保护电路。
SiR178DP-T1-GE3, IPB061N04NG4S, FDP6680
