型号：BCR3AM-8
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800 V
　　最大漏极电流（Id）：3.0 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.0 Ω（最大值约2.5 Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V 至 4.0 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　功耗（Ptot）：50 W（带散热片）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约 160 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：无（非体二极管主导应用）
　　开关速度：快速开关特性，适用于高频应用

BCR3AM-8具备多项关键特性，使其在同类功率MOSFET中表现出色。首先，其高达800V的漏源击穿电压使其非常适合用于离线式开关电源设计，尤其是在反激式（Flyback）或准谐振（Quasi-Resonant）拓扑结构中作为主开关器件。该电压等级足以应对全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）下的峰值电压冲击，确保系统在各种电网条件下稳定运行。其次，该器件采用了英飞凌成熟的沟槽栅技术，这种结构不仅降低了单位面积的导通电阻，还提升了载流子迁移效率，从而显著降低导通损耗。虽然其Rds(on)为2.0Ω左右，在现代超低Rds(on)器件中不算最低，但在800V耐压级别中仍属于合理水平，兼顾了成本与性能。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。TO-252封装虽为表面贴装形式，但通过底部金属焊盘可有效传导热量至PCB散热层或外接散热片，实现良好的热管理。该器件的最大功耗可达50W，表明其在适当散热条件下能够承受较高的持续功率负载。此外，BCR3AM-8具有较强的抗雪崩能力，意味着在瞬态过压或电感负载突变情况下，器件不易因能量冲击而损坏，提高了整个电源系统的鲁棒性。
　　从驱动角度而言，BCR3AM-8的栅极阈值电压在2.0V~4.0V之间，兼容常见的PWM控制器输出逻辑电平（如5V或10V驱动），便于集成到现有控制电路中。其输入电容约为1100pF，属于中等水平，因此在高频开关应用中需注意驱动电路的电流输出能力，以避免开关延迟或额外损耗。整体来看，该器件在开关速度、导通损耗和可靠性之间取得了良好平衡，特别适合对成本敏感且要求高可靠性的中功率电源设计。

BCR3AM-8主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，特别是在交流-直流（AC-DC）转换器中扮演关键角色。它常见于反激式变换器拓扑中，作为主开关晶体管用于电视机电源、显示器电源、LED驱动电源以及小型适配器等产品中。由于其800V的高耐压能力，能够在宽输入电压范围内安全运行，因此特别适用于需要适应全球市电输入（90VAC~265VAC）的应用场合。此外，在LED照明驱动领域，BCR3AM-8可用于恒流源拓扑中的功率开关，实现高效的能量转换和稳定的光输出。
　　在工业控制方面，该器件也广泛用于继电器驱动、电磁阀控制和小型电机驱动电路中，尤其在需要隔离式供电或高压侧开关的场景下表现优异。由于其封装形式为TO-252，便于自动化贴片生产，因此受到大批量电子产品制造商的青睐。同时，该器件也可用于DC-DC升压或降压变换器中，尤其是在输入电压较高或输出功率需求较大的情况下。
　　另外，BCR3AM-8还可用于不间断电源（UPS）、电池充电器和家用电器（如微波炉、空调内机电源模块）中的辅助电源或主功率级。其良好的抗干扰能力和温度稳定性使其在复杂电磁环境和高温工况下依然保持可靠运行。总的来说，只要是在800V以内、几瓦到百瓦级功率范围内的开关电源或功率控制应用，BCR3AM-8都是一个成熟且经过市场验证的选择。

SPM3-800HB
　　STP3NK80ZFP
　　KSE972-Y