型号：XCA111L
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：16 A
　　脉冲漏极电流IDM：60 A
　　导通电阻RDS(on)（max）：4.7 mΩ（@VGS=10V）
　　RDS(on)（max）：6.2 mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅极电荷Qg（typ）：9.5 nC（@VGS=10V）
　　输入电容Ciss（typ）：580 pF（@VDS=15V）
　　开启延迟时间td(on)（typ）：6 ns
　　关断延迟时间td(off)（typ）：12 ns
　　阈值电压VGS(th)（typ）：1.5 V
　　功耗PD（max）：2.5 W
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

XCA111L采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)值，在VGS=10V时最大仅为4.7mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也仅6.2mΩ，这使得器件在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，有效提升系统效率。该技术还优化了电荷分布，减少了栅极电荷Qg和输出电荷Qoss，从而降低了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源拓扑结构，如同步整流降压变换器。器件的低Qg特性也减轻了驱动电路的负担，允许使用更小的驱动电流或更低功耗的控制器，进一步优化整个电源系统的能耗表现。
　　XCA111L具备出色的热性能，得益于其PowerPAK SO-8封装设计，该封装无引线框架，采用双面散热结构，能够通过PCB顶层和底层同时进行热量传导，显著提升散热效率。这种设计不仅提高了功率密度，还允许在有限空间内实现更高的持续电流输出。同时，该器件具有较高的脉冲电流承受能力（IDM达60A），适合应对瞬态负载变化或启动浪涌电流的应用场景。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行，增强了系统的环境适应性与长期可靠性。
　　该MOSFET还集成了多项保护特性，包括雪崩能量额定和抗闩锁设计，提升了在电压瞬变和过载情况下的鲁棒性。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代电子产品对环保和安全的严格要求。此外，XCA111L的电气参数经过严格筛选和测试，保证批次间一致性，便于大规模生产中的设计复用与品质控制。总体而言，XCA111L是一款面向高效、高密度电源设计的理想选择，尤其适用于追求小型化与高性能平衡的嵌入式系统和便携设备。

XCA111L广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压转换器，尤其是在主板、GPU、CPU供电模块中作为下管或上管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，可显著降低传导和开关损耗，提高电源转换效率。此外，它也常用于负载开关电路，用于控制电源路径的通断，例如在多电源系统中实现电源域隔离或上电时序管理。在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动终端中，XCA111L可用于电池充放电管理、电源多路复用以及背光驱动等模块。
　　该器件同样适用于电机驱动应用中的H桥低端开关，特别是在微型直流电机或步进电机控制中，能够提供快速响应和低功耗运行。在热插拔控制器电路中，XCA111L可作为主功率开关，配合限流和软启动功能，防止插拔过程中产生的浪涌电流损坏系统。此外，在服务器和通信设备的电源管理系统中，XCA111L可用于分布式电源架构中的POL（Point-of-Load）转换器，支持高电流密度和紧凑布局的设计需求。由于其优异的热性能和可靠性，该器件也可用于工业自动化设备、医疗仪器以及汽车电子中的辅助电源系统。

SiR112DP,XC6206P302MR-G,XC6206P302PR-G