时间：2025/9/14 0:45:10
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PSMN2R5-60PLQ 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能。PSMN2R5-60PLQ 采用高性能Trench工艺制造，具备卓越的开关特性和可靠性，适用于各种要求严苛的电源管理场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大2.5mΩ（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power-SO10
安装类型：表面贴装
PSMN2R5-60PLQ 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其2.5mΩ的Rds(on)在10V栅极驱动电压下确保了在高负载条件下仍能保持较低的传导损耗。此外，该器件的高电流承载能力和耐高压特性使其适用于高功率密度的设计。
该MOSFET采用了恩智浦先进的Trench工艺技术，优化了导通和开关性能之间的平衡。Trench结构减少了芯片尺寸，同时保持了良好的热管理能力，确保在高频率开关操作下的稳定性。
PSMN2R5-60PLQ 采用Power-SO10封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电源设计。其表面贴装封装也便于自动化装配和焊接，提高了制造效率。
此器件还具备优良的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性。同时，其宽泛的工作温度范围使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车和通信等严苛应用领域。
PSMN2R5-60PLQ 被广泛应用于多种高功率、高效率的电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制、负载开关和电源分配系统等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效电源模块、服务器电源、电信设备和汽车电子系统的理想选择。
IPB015N06N3 G INFINEON
PSMN2R5-60YLH NXP
SQJQ120EP N-channel MOSFET, 60 V, 120 A, 2.5 mΩ, Trench, NexFET from TI
BSC010N06LS G INFINEON
