时间：2025/8/9 11:43:09
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2SK3873-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关应用和功率放大器电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理和高频电子设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：30V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：200mA
功耗(Pd)：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-323（SC-70）
导通电阻(Rds(on))：典型值为10Ω（Vgs=4.5V时）
过渡频率(fT)：100MHz
漏电流(Idss)：最大为1μA（Vds=30V时）
2SK3873-01 MOSFET具有多项优良特性，适用于多种高频和低功耗应用场景。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功率损耗，提高系统的能效。该器件的栅极-源极电压范围为±20V，提供了良好的抗过压能力，确保在复杂电路环境下的稳定性。
此外，该MOSFET的封装形式为SOT-323（SC-70），属于小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。其高过渡频率（fT）达到100MHz，使其在高频放大和开关应用中表现出色。
2SK3873-01还具备良好的热稳定性与抗静电能力，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度环境下稳定运行，提升了产品的可靠性和适用范围。
在制造工艺上，该器件采用了先进的硅栅极技术，确保了器件的稳定性和一致性。同时，其漏电流非常低（最大为1μA），在待机或低功耗模式下能够有效减少能量消耗。
2SK3873-01 MOSFET因其优异的性能特性，广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，它常用于小型DC-DC转换器、电池充电电路以及负载开关控制，其低导通电阻和小封装形式特别适合便携式设备的设计。
在射频和高频电子设备中，2SK3873-01也常被用于高频放大器和射频开关电路，其高过渡频率和良好的高频响应能力使其在通信模块、无线收发器和传感器网络中表现出色。
此外，该器件也适用于逻辑电路、驱动电路和模拟开关等应用。由于其SOT-323封装体积小，非常适合空间受限的消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备等。
工业控制和自动化设备中，2SK3873-01可用于驱动小型继电器、LED指示灯、传感器接口电路等，其高可靠性和宽工作温度范围使其在恶劣工业环境中也能稳定运行。
2SK2545, 2SK3018, 2SK3888, 2SK3904
