型号：FN21N150J500PAG
　　类型：N沟道 MOSFET
　　Vds（漏源极击穿电压）：1500V
　　Rds(on)（导通电阻）：0.5Ω
　　Id（连续漏极电流）：21A
　　Ptot（总功耗）：360W
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装：TO-247-3

FN21N150J500PAG 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：Vds 达到 1500V，可满足高压应用场景的需求。
　　2. 低导通电阻：在高电流条件下能够减少功率损耗，提高效率。
　　3. 快速开关特性：具备较低的栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss，有助于降低开关损耗。
　　4. 稳定性：能够在极端温度范围内保持稳定性能，适应恶劣的工作环境。
　　5. 封装优势：TO-247-3 封装提供优异的热性能和电气连接可靠性。
　　这些特性使得 FN21N150J500PAG 成为高压电源系统中的理想选择。

FN21N150J500PAG 广泛应用于以下领域：
　　1. 高压 DC-DC 转换器：用于工业设备和通信基站的高效电源转换。
　　2. 逆变器：支持太阳能发电系统、不间断电源 (UPS) 和电机驱动等应用。
　　3. 开关电源 (SMPS)：适用于需要高效率和高可靠性的电源设计。
　　4. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率模块：
　　 - 电池管理系统 (BMS)
　　 - 电机控制器
　　5. 工业自动化和机器人：
　　 - 高压伺服驱动器
　　 - 过流保护电路
　　FN21N150J500PAG 凭借其卓越的性能和稳定性，在上述应用中表现出色。

FN20N150J500PAG, IRFP260N, STGW20N150C3