时间：2025/4/29 12:13:35
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FQD1N50是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关和功率控制应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
其封装形式通常为TO-220，适合高电流和高电压应用场景，广泛用于电源开关、电机驱动、负载切换等领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：1A
导通电阻：4.2Ω
栅极电荷：15nC
总耗散功率：75W
工作结温范围：-55℃ to 150℃
FQD1N50具备以下特点：
1. 高电压承受能力，额定漏源电压达500V。
2. 较低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能，可提高系统效率。
4. 强大的雪崩击穿能力和鲁棒性，确保在异常条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. TO-220封装提供良好的散热性能，适合功率应用。
FQD1N50主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各种负载切换应用。
5. 过流保护电路中的关键组件。
6. 逆变器和电池管理系统中的功率级元件。
IRF540N
STP16NF06
FQP17N10
