类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　峰值反向重复电压 (VRRM)：30V
　　最大直流阻断电压 (VR)：30V
　　最大平均整流电流 (IO)：300mA（每二极管）
　　峰值非重复浪涌电流 (IFSM)：0.5A
　　正向压降 (VF)：典型值 0.42V（在 300mA, TJ=25°C）
　　最大反向漏电流 (IR)：100μA（在 30V, TJ=25°C）
　　反向恢复时间 (trr)：≤ 5ns（典型值）
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 (Tstg)：-65°C 至 +150°C

XBB170STR的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从根本上消除了少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr ≤ 5ns）。这一特性使得该器件在高频开关环境中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升电源系统的动态响应能力。在实际应用中，例如在同步整流或续流二极管的角色中，XBB170STR的低正向压降（VF ≈ 0.42V @ 300mA）显著优于普通硅二极管（通常为0.7V以上），从而大幅降低导通损耗，提高能效，尤其在电池供电设备中延长续航时间方面具有重要意义。
　　该器件的双二极管共阴极结构设计提供了良好的电路集成度，适用于需要对称整流或双通道信号处理的场合，例如H桥驱动中的续流保护、多路DC-DC变换器的输出整流等。其SOT-23封装具有优良的热性能和机械稳定性，适合回流焊工艺，且与主流自动贴片设备兼容，有利于大规模生产。此外，XBB170STR符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的电气性能，反向漏电流在高温下增长缓慢，确保系统长期运行的可靠性。制造商Diodes Incorporated提供了完整的质量控制体系和可靠性测试数据，包括高温反向偏置（HIRB）、温度循环和高压蒸煮试验（PCT）等，保证产品在各种应用场景下的耐用性和一致性。

XBB170STR因其高效的整流性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于电池充电管理电路中的防反接保护和电源路径切换，利用其低VF特性减少热量产生并提升充电效率。在DC-DC转换器拓扑中，特别是升压（Boost）和反激式（Flyback）电路中，XBB170STR作为输出整流二极管使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于输入电压较低（如3.3V或5V）的低压系统。
　　在通信接口电路中，XBB170STR可用于USB、RS-232或CAN总线的瞬态电压抑制和信号钳位，防止过压损坏后续逻辑电路。其快速响应能力使其能够及时箝制瞬态脉冲，保护敏感元件。此外，在LED驱动电路中，该器件可用作防倒灌二极管，防止电流反向流动导致LED损坏。在电机驱动和继电器控制应用中，XBB170STR作为续流二极管（也称飞轮二极管）并联于感性负载两端，吸收关断瞬间产生的反电动势，避免电压尖峰击穿开关器件（如MOSFET或晶体管），保障系统安全运行。
　　工业控制系统中的传感器信号调理电路也常采用XBB170STR进行信号整流和电平钳位。由于其低温漂和稳定的电气特性，能够在宽温度范围内提供一致的性能表现。此外，该器件还可用于电源冗余设计中的“或”二极管配置，实现多电源输入的无缝切换，确保关键系统的持续供电。其小型封装特别适合空间受限的高密度PCB布局，是现代高性能、小型化电子设计的理想选择。

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　　 "BAT54S",
　　 "RB751S40",
　　 "DMK170SS",
　　 "ZXMP6613FTA",
　　 "SMS7621"
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