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X28C512RMB-90 发布时间 时间:2025/8/7 10:15:14 查看 阅读:19

X28C512RMB-90是一种高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),设计用于需要高速数据访问和可靠存储的系统。该器件通常用于工业、通信、计算机及嵌入式系统中,作为高速缓存或临时数据存储。该SRAM芯片容量为512K位(64K x 8),提供高速访问时间,适用于对性能要求较高的应用环境。其封装形式为28引脚SSOP(Shrink Small Outline Package),适合高密度电路板设计,并具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

容量:512K位(64K x 8)
  电源电压:3.3V或5V(视具体版本而定)
  访问时间:90ns
  封装类型:28引脚SSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  输入/输出电压:TTL兼容
  工作模式:异步读写操作
  功耗:典型值约100mA(待机模式下低至10μA)
  数据保持电压:1.5V至VCC
  读取电流:最大20mA

特性

X28C512RMB-90具备多项高性能和可靠性特性。其高速访问时间为90ns,适用于需要快速数据存取的应用场景,如网络设备、工业控制器和嵌入式系统。该芯片支持异步读写操作,能够与多种微处理器和控制器无缝集成。其低功耗设计不仅在正常运行时保持高效能,同时在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。该SRAM还具备宽电压工作范围(通常支持3.3V或5V),提高了在不同系统环境中的兼容性。工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境下的稳定运行,适用于户外设备和工业自动化系统。此外,该器件采用28引脚SSOP封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和电气性能,确保长期可靠运行。

应用

X28C512RMB-90广泛应用于多个领域,包括工业控制系统、通信设备、嵌入式系统、消费电子产品、数据采集系统以及网络设备。在工业自动化系统中,它可作为高速缓存用于临时存储控制程序或实时数据。在通信设备中,该SRAM用于缓冲高速数据传输,提高系统响应速度。嵌入式系统中常将其用作主存或高速缓冲存储器,以提升处理效率。消费电子产品如智能家电和便携式设备也可利用其低功耗特性,延长电池使用时间。此外,在数据采集和处理系统中,X28C512RMB-90可用于存储传感器数据或中间计算结果,提高系统处理能力。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE、IS62C256AL-45HI、HM62256BLP-70、AS6C62256C-55PCN-T

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