GA0603A221KXAAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频和高效率的电源转换应用 技术,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,可显著提升系统的整体效率与功率密度。
该型号通常应用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、无线充电设备、电动汽车充电桩、工业电源等场景。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:220mΩ
栅极电荷:45nC
反向恢复时间:无
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
封装形式:PQFN3x3
这款 GaN 功率晶体管具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(220mΩ),能够减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高开关频率支持,适合高频应用,可缩小磁性元件尺寸以提升功率密度。
3. 出色的热性能设计,允许在高温环境下稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能,增强器件的可靠性。
5. 小型 PQFN3x3 封装,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
GA0603A221KXAAP31G 广泛用于以下领域:
1. AC-DC 和 DC-DC 开关电源设计,如适配器、快充头等。
2. 无线充电解决方案,提供高效的功率传输。
3. 电动车充电桩中的功率转换模块。
4. 工业电源和通信电源,满足高效率和高功率密度需求。
5. 激光驱动和其他需要快速开关响应的应用。
GAN063-650WSA, GS66508T