时间:2025/11/5 20:54:03
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X201232768KLD2SI 是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装技术(SMT)多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于 X7R 电介质系列,具有稳定的电气性能和较宽的工作温度范围。该型号专为在高频、高稳定性和高可靠性要求的应用中使用而设计,例如电源去耦、旁路电路、滤波网络以及信号耦合等场景。X201232768KLD2SI 采用标准尺寸封装,符合 EIA 0805(2012 公制)尺寸规范,适用于自动化贴片生产线,具备良好的焊接可靠性和机械强度。其额定电容值为 27pF,公差为 ±10%,额定电压为 50V DC,能够在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内保持电容变化不超过 ±15%。该器件不含铅,符合 RoHS 环保标准,并且具有优异的抗湿性和长期稳定性,适合用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费类电子产品中。
产品类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
电容值:27pF
容差:±10%
额定电压:50V DC
电介质材料:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度特性:电容变化 ≤ ±15%(在温度范围内)
封装/外壳尺寸:EIA 0805(2.0mm x 1.2mm)
安装类型:表面贴装(SMT)
端接类型:镍/锡(Ni/Sn)镀层
RoHS合规性:符合
无铅:是
失效率:标准工业级
X201232768KLD2SI 所采用的 X7R 电介质材料赋予了其出色的温度稳定性,使其在 -55°C 到 +125°C 的宽温范围内仍能维持电容值的变化不超过 ±15%。这一特性使得该 MLCC 非常适用于那些需要在极端环境条件下保持性能稳定的电路系统,如汽车引擎舱内的控制模块或工业自动化设备中的电源管理单元。相较于 Z5U 或 Y5V 类介质,X7R 材料在温度变化时表现出更小的电容漂移,从而确保电路参数的一致性。
该器件的结构采用多层堆叠工艺,通过交替排列陶瓷介质与内部金属电极形成高密度电容阵列,不仅提高了单位体积下的有效电容量,还显著降低了等效串联电感(ESL),增强了其在高频应用中的响应能力。低 ESL 特性使其非常适合用作高速数字电路中的去耦电容,能够快速响应瞬态电流需求,抑制电源噪声并提升系统稳定性。
X201232768KLD2SI 采用镍/锡端接,具备优良的可焊性和耐热冲击性能,支持回流焊和波峰焊等多种 SMT 工艺流程。其端子结构经过优化设计,减少因热膨胀系数不匹配导致的开裂风险,提升了在温度循环测试中的可靠性。此外,该器件具有良好的抗湿性,能够在高湿度环境中长期工作而不发生性能劣化,满足 IPC/JEDEC J-STD-020 对潮湿敏感元件的要求。
由于其小型化设计(0805 封装),X201232768KLD2SI 可有效节省 PCB 布局空间,适应现代电子产品向轻薄化发展的趋势。同时,它具备较高的机械强度和抗振动能力,适用于对结构稳定性有较高要求的应用场合,如车载电子和航空航天设备。整体而言,这款 MLCC 在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是多种中高压、中频电路中的理想选择。
广泛应用于电源管理系统中的去耦与旁路电路,尤其在 FPGA、ASIC 和微处理器的供电网络中用于滤除高频噪声;适用于各类通信设备中的射频匹配网络和滤波器组件;可用于工业控制系统的模拟信号调理电路中作为稳定电容元件;也常见于汽车电子模块,如 ADAS 系统、车载信息娱乐系统和发动机控制单元(ECU),以应对严苛的温度与振动环境;还可用于医疗电子设备、测试仪器和消费类电子产品中,提供可靠的电容支持。
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"C2012X7R1H270K",
"GRM21BR71H270KA01L",
"CL21A270KAANNNC",
"ECJ-2FB0X7R270K"
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