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HY57V281620HCT-PI 发布时间 时间:2025/9/1 22:23:31 查看 阅读:15

HY57V281620HCT-PI 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于16M x 16位的同步DRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),采用CMOS技术制造,具有高性能和低功耗的特点。它适用于需要大量数据缓存和高速数据传输的应用场景,如个人计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统等。HY57V281620HCT-PI采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,便于在高密度电路板上安装。

参数

容量:256MB
  组织结构:16M x 16位
  工作电压:3.3V
  数据速率:166MHz
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54pin
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  存储类型:DRAM
  刷新周期:64ms
  访问时间:5.4ns
  

特性

HY57V281620HCT-PI 作为一款高性能的SDRAM芯片,具备多项显著的技术特性。首先,其166MHz的数据传输速率使其能够在高频操作下提供快速的数据存取能力,这对于需要高速运算和数据处理的设备至关重要。该芯片的工作电压为3.3V,相比早期的5V电压标准,能够在保证性能的同时有效降低功耗,从而提高能效并减少热量产生。
  该芯片的容量为256MB,由16M x 16位的组织结构构成,这意味着它可以同时处理16位宽的数据,适用于需要大容量缓存的应用场景。其TSOP封装形式不仅减小了封装尺寸,还提高了封装密度,非常适合用于高密度印刷电路板设计。此外,芯片的工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种严苛的环境条件下稳定运行,扩展了其适用范围。
  HY57V281620HCT-PI 支持同步操作,即所有数据的读取和写入都与系统时钟同步,这有助于提高系统的整体稳定性和数据传输效率。此外,其64ms的刷新周期确保了数据在断电前能够被定期刷新,避免数据丢失。访问时间为5.4ns,表明其响应速度快,适合要求快速数据存取的应用。
  这款芯片还具备良好的兼容性,能够与其他标准SDRAM控制器无缝连接,简化了系统设计和集成过程。此外,其低功耗设计和高可靠性使其成为许多嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备的理想选择。

应用

HY57V281620HCT-PI 主要应用于需要大容量高速缓存的各种电子设备和系统中。例如,在个人计算机和服务器中,该芯片可用于临时存储大量运行数据,提升系统运行效率。在网络设备如路由器和交换机中,它可以用于缓存数据包,提高数据转发速度。在嵌入式系统中,如工业控制设备、医疗设备和消费类电子产品,该芯片能够提供稳定的存储支持,确保设备的高效运行。此外,由于其工业级温度范围,它也适用于户外设备、汽车电子系统等需要在复杂环境中工作的应用场合。

替代型号

IS42S16256H-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632H-UC

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