WT50F5是一款由华天科技(Hua Tian Technology)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高功率应用,如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型:功率MOSFET
封装形式:TO-252(DPAK)
最大漏极电流(ID):50A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):≤5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
WT50F5 MOSFET具备多项优异的电气和热性能,适用于高功率和高效率的应用场景。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。在60V的漏-源电压下,该器件能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换电路。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,能够在较高电流下稳定工作,同时便于安装和焊接。
此外,WT50F5的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V驱动电压,兼容多种栅极驱动IC和控制器。其高栅极阈值电压增强了抗干扰能力,降低了误触发的风险。器件的热稳定性良好,在高温环境下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场景。
WT50F5广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、负载开关、功率放大器以及工业自动化控制系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件特别适合用于需要高效能、低功耗设计的场合。在电动汽车和新能源系统中,该MOSFET也可用于电池充放电管理和能量转换模块。
SiR510DP-T1-GE3, IPP055N06N3G4