时间：2025/4/30 11:32:31
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WSL2512R0100FEA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制程工艺制造。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。其封装形式紧凑，能够有效节省电路板空间，并提供卓越的热性能。
型号：WSL2512R0100FEA
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：97A
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：260W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
封装：SO8FL
WSL2512R0100FEA 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 快速开关速度，支持高频应用。
3. 高度可靠的设计，能够在极端温度范围内稳定运行。
4. 强大的过流保护能力，确保在异常情况下器件的安全性。
5. 小巧的封装尺寸，适合高密度布局设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
WSL2512R0100FEA 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统(BMS) 中的大电流控制。
3. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 高效能计算系统中的电压调节模块(VRM)。
6. 大功率 LED 驱动电路。
WSL2512R0120FEA, WSL2512R0150FEA, FDS8940
