时间：2025/9/14 3:54:23
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BUK9Y40-55B/C3是一款N沟道增强型功率MOSFET，由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产。该器件具有优异的导通和开关性能，适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关应用。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种工业标准电路板布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
连续漏极电流（Id）@25°C：40A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：约8.5mΩ
栅极电荷（Qg）：约73nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK9Y40-55B/C3的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，使其在高电流应用中表现优异。其优化的栅极设计减少了开关损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。TO-220封装提供了良好的热性能和机械稳定性，便于安装和散热管理。该MOSFET还具备高抗干扰能力，适合在恶劣的工业环境中使用。
BUK9Y40-55B/C3广泛应用于电源管理系统、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器、工业自动化设备和负载开关电路。其高效率和可靠性也使其适合用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）和电动水泵控制。
IRF3205, STP40NF06L, FDP40N06
