时间：2025/6/29 10:27:04
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SQD50P04-13L-GE3 是一款基于硅技术的 N 沟道功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用 PDPAK-7 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其主要特点包括出色的开关性能、高效率以及良好的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。
该型号属于功率半导体家族的一员，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场合。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷（典型值）：28nC
输入电容（典型值）：1650pF
开关时间：ton=19ns，toff=35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SQD50P04-13L-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在典型条件下仅为 4mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较小的栅极电荷 Qg 和总电容 Ciss，使该器件能够在高频下实现快速开关操作。
3. 高雪崩能量能力和强健的短路耐受能力，提高了可靠性和抗干扰性。
4. 紧凑的 PDPAK-7 封装形式具备优秀的散热性能，适合大功率密度的应用场景。
5. 工作温度范围宽广，能够适应极端环境下的运行需求。
这款功率 MOSFET 被广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具、家用电器等产品的电机驱动电路。
3. 各种电池管理系统中的充放电控制与保护功能。
4. LED 照明系统的恒流驱动电路。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
SQD50P04-13L-GE3 凭借其卓越的性能表现，成为这些应用中不可或缺的核心组件。
SQD50P04-13L-G, IRFZ44N, FDP5800
