WSG03N10 时间：2025/7/17 21:05:32 阅读：14

WSG03N10 是一款由 Win Semiconductor（简称Winsemi）生产的功率MOSFET器件。该型号属于N沟道增强型晶体管，专为高效能电源管理应用设计。WSG03N10以其低导通电阻、高耐压和快速开关特性而著称，适用于多种电力电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：3A（在25°C环境温度下）
　　峰值漏极电流(Ipulse)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.8Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

WSG03N10具备多项优异性能。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍然能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其次，这款MOSFET拥有较高的额定电压能力，可以应对瞬态高压情况，提升系统可靠性。
　　此外，WSG03N10采用先进的封装技术，具有良好的热管理性能。这使得它能够在较高温度环境下稳定运行，并且可以通过散热器进一步优化散热效果。同时，其快速开关速度减少了开关损耗，适合高频操作的应用场景。
　　该器件还具备较强的抗静电能力和过载保护功能，可以在恶劣工况下维持正常运作。因此，WSG03N10不仅适用于常规电源转换装置，也能胜任需要长时间高强度工作的工业级应用。

应用

WSG03N10广泛应用于各种电力电子系统中。常见的使用领域包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器以及电机驱动电路等。由于其出色的电气特性和耐用性，它也常被用于汽车电子、通信设备及工业自动化控制系统中的关键部位。
　　具体来说，在DC-DC转换器中，WSG03N10作为主开关元件，能够有效提升转换效率并减小体积；而在LED照明驱动电路中，则有助于实现精确调光与恒流控制。另外，在太阳能逆变器或UPS不间断电源等新能源相关设备里，这款MOSFET同样发挥着重要作用。