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WSG03N10 发布时间 时间:2025/7/17 21:05:32 查看 阅读:11

WSG03N10 是一款由 Win Semiconductor(简称Winsemi)生产的功率MOSFET器件。该型号属于N沟道增强型晶体管,专为高效能电源管理应用设计。WSG03N10以其低导通电阻、高耐压和快速开关特性而著称,适用于多种电力电子设备。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3A(在25°C环境温度下)
  峰值漏极电流(Ipulse):12A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为2.8Ω(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

WSG03N10具备多项优异性能。首先,其低导通电阻确保了在高电流条件下仍然能够保持较低的功率损耗,从而提高整体效率。其次,这款MOSFET拥有较高的额定电压能力,可以应对瞬态高压情况,提升系统可靠性。
  此外,WSG03N10采用先进的封装技术,具有良好的热管理性能。这使得它能够在较高温度环境下稳定运行,并且可以通过散热器进一步优化散热效果。同时,其快速开关速度减少了开关损耗,适合高频操作的应用场景。
  该器件还具备较强的抗静电能力和过载保护功能,可以在恶劣工况下维持正常运作。因此,WSG03N10不仅适用于常规电源转换装置,也能胜任需要长时间高强度工作的工业级应用。

应用

WSG03N10广泛应用于各种电力电子系统中。常见的使用领域包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器以及电机驱动电路等。由于其出色的电气特性和耐用性,它也常被用于汽车电子、通信设备及工业自动化控制系统中的关键部位。
  具体来说,在DC-DC转换器中,WSG03N10作为主开关元件,能够有效提升转换效率并减小体积;而在LED照明驱动电路中,则有助于实现精确调光与恒流控制。另外,在太阳能逆变器或UPS不间断电源等新能源相关设备里,这款MOSFET同样发挥着重要作用。

替代型号

SiSS130TN-T1-GE3, FDS6680, IRFZ44N

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