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50N06L-TN3-R 发布时间 时间:2025/5/31 2:32:02 查看 阅读:11

50N06L-TN3-R 是一款 N,属于逻辑电平驱动器件。该器件采用 TO-220 封装形式,适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其设计优化了开关性能和热特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等应用中。
  这款功率 MOSFET 的最大特点是具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少导通损耗,提高整体系统的效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:50A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:14mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

50N06L-TN3-R 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中显著降低功率损耗。
  2. 支持逻辑电平驱动,可以与常见的数字逻辑电路直接连接,简化了设计过程。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在过流或短路情况下的鲁棒性。
  4. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
  5. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
  6. 可靠的热性能表现,支持长时间稳定运行。

应用

50N06L-TN3-R 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器中的功率级。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压及升降压转换器。
  5. 工业控制设备中的功率切换。
  6. 汽车电子系统中的负载驱动,例如电动窗、座椅调节等。

替代型号

IRL50N06,
  STP50NF06,
  FDP50N06,
  AO50N06

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