50N06L-TN3-R 是一款 N,属于逻辑电平驱动器件。该器件采用 TO-220 封装形式,适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其设计优化了开关性能和热特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等应用中。
这款功率 MOSFET 的最大特点是具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少导通损耗,提高整体系统的效率。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:50A
最大栅源电压:±20V
导通电阻:14mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:140W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
50N06L-TN3-R 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中显著降低功率损耗。
2. 支持逻辑电平驱动,可以与常见的数字逻辑电路直接连接,简化了设计过程。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在过流或短路情况下的鲁棒性。
4. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
5. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
6. 可靠的热性能表现,支持长时间稳定运行。
50N06L-TN3-R 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器中的功率级。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压及升降压转换器。
5. 工业控制设备中的功率切换。
6. 汽车电子系统中的负载驱动,例如电动窗、座椅调节等。
IRL50N06,
STP50NF06,
FDP50N06,
AO50N06