50N06L-TN3-R 时间：2025/5/31 2:32:02 阅读：21

50N06L-TN3-R 是一款 N，属于逻辑电平驱动器件。该器件采用 TO-220 封装形式，适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其设计优化了开关性能和热特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等应用中。
　　这款功率 MOSFET 的最大特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗，提高整体系统的效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：50A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻：14mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

50N06L-TN3-R 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中显著降低功率损耗。
　　2. 支持逻辑电平驱动，可以与常见的数字逻辑电路直接连接，简化了设计过程。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在过流或短路情况下的鲁棒性。
　　4. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
　　6. 可靠的热性能表现，支持长时间稳定运行。

应用

50N06L-TN3-R 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器中的功率级。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
　　4. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压转换器。
　　5. 工业控制设备中的功率切换。
　　6. 汽车电子系统中的负载驱动，例如电动窗、座椅调节等。