类型：MOSFET 驱动器
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　最大输出电流：±1.5A（典型值）
　　传播延迟时间：约 10ns
　　上升/下降时间：约 8ns（在 1nF 负载下）
　　输入阈值电压：CMOS/TTL 兼容
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：8 引脚 SOIC 或 PDIP
　　绝缘耐压等级：高达 600V（HVIC 技术）

IP120K-05/883 的核心特性之一是其采用了高压集成电路（HVIC）技术，使其能够直接承受高达 600V 的电压，从而实现高侧 MOSFET 的浮动供电驱动。这使得它特别适合用于半桥或全桥电路中的高侧开关驱动。
　　该芯片具有较低的传播延迟（Typically 10ns）和快速的上升/下降时间（Typically 8ns 在 1nF 负载下），确保了在高频开关应用中的高效性能。此外，其 ±1.5A 的输出驱动能力可有效减少外部缓冲器的需求，简化电路设计。
　　IP120K-05/883 的输入逻辑兼容 CMOS 和 TTL 电平，便于与各种控制器接口连接。内部还集成了欠压保护功能，当 VCC 或 VB 电压低于设定阈值时，输出将被禁止，以防止 MOSFET 工作在非安全状态。
　　由于其符合 MIL-STD-883 标准，IP120K-05/883 在高温、低温、湿度、振动等恶劣环境条件下依然能保持可靠运行，因此广泛应用于军工、航天、工业控制等领域。

IP120K-05/883 主要应用于需要高电压隔离和高速驱动能力的功率转换系统中，例如：
　　- 开关电源（SMPS）压/降压转换器
　　- 半桥和全桥逆变器
　　- 电机驱动器和变频器
　　- UPS（不间断电源）
　　- 太阳能逆变器
　　在这些系统中，IP120K-05/883 可以有效地驱动高侧和低侧的 N 沟道 MOSFET 或 IGBT，提高系统的效率和稳定性。

IR2110, HIP4080, LM5101B, IRS2104